[发明专利]一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及其制作方法。该结构包括：衬底、下波导层、下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上、有源区、上光限制层、光栅层、上波导层，该上波导层生长在该光栅层上、多孔区、二氧化硅层、正面金属电极层和背面电极层；其中该多孔区制作于该上波导层上；其中，所述的下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧为梯形斜面；该二氧化硅生长在衬底正面未被下波导层覆盖的部分和下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧形成的梯形斜面上，以及上波导层上面两侧的边缘部分。

主权项

一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；一下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；一有源区，该有源区生长在下光限制层上；一上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；一光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上；一上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；一多孔区，该多孔区制作于该上波导层上；其中，所述的下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层，该二氧化硅生长在衬底正面未被下波导层覆盖的部分和下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧形成的梯形斜面上，以及上波导层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层，该正面金属电极生长在二氧化硅层的上面、上波导层未被二氧化硅覆盖的部分及多孔区的上面；一背面电极层，该背电极层生长在衬底的背面。