[发明专利]一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法

摘要

本发明提供了一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，该方法先求出频点为f₀的标准被测品在电波暗室中的水平辐射场强和垂直辐射场强，然后分别求得标准被测品在开阔场中总功率算法和Lee算法的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，根据公式求得频点f₀所对应的相位补偿校准因子，将相位补偿校准因子和任意被测设备总功率算法和Lee算法的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强代入相应公式即可求得任意被测设备在开阔场中的测试结果。该测试方法在总功率算法基础上，以Lee算法进行相位补充，克服了总功率算法单独使用时未考虑相位因素和Lee算法单独使用时近似假设引入误差而导致测试结果准确度较低的问题。

主权项

1.一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将频点为f₀的标准被测品放置于电波暗室中测得其水平辐射场强和垂直辐射场强；（2）将频点为f₀的标准被测品放置于GTEM小室内；（3）根据总功率算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室时GTEM小室输出端口的等效电压信号、、；根据总功率算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强；（4）根据Lee算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，逆时针转动转台的角度为0⁰，45⁰，90⁰，180⁰和270⁰，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室、转台处于不同角度时GTEM小室输出端口的等效电压信号、、、、、、、、、、、、、、；根据Lee算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强；（5）计算频点f₀对应的水平极化相位补偿校准因子和垂直极化相位补偿校准因子：、；（6）将标准被测品换为任意被测设备放置于GTEM小室中，重复步骤（3）、（4），根据总功率算法得到对应的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，根据Lee算法得到对应的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，结合第步骤（5）中提取的相位补偿校准因子，将相应的计算结果带入公式、，和即为所要求得的测试结果。