[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310504608.3 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103606556A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/12 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。该结构利用钨的高能级使从发射极注入的空穴和存在于基极区域的许多载流子即电子再结合，从而能够提高半导体装置的电流放大率；同时能够降低污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。
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