[发明专利]表面增强拉曼散射传感器及其制备方法在审
申请号: | 201310504790.2 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104568896A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 潘革波;赵宇;肖燕;刘永强;吴浩迪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;马翠平 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了表面增强拉曼散射传感器,包括基底以及基底上的金属纳米柱阵列,所述金属纳米柱的上端面为平面,截面为六边形;所述金属纳米柱的高度为400~600nm,直径为100~200nm;其中,相邻的两个金属纳米柱的间距为200~500nm;本发明还提供了如上所述的传感器的制备方法。本发明提供的表面增强拉曼散射传感器,通过阳极氧化铝模板辅助得到阵列化纳米柱结构,能够显著增强拉曼散射信号,可应用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生、医学成像和环境检测等众多领域;并且该传感器制备工艺简单,采用印刷工艺制备导电性铝膜层,具有节约原料,降低生产成本,绿色环保的优势,适于大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 表面 增强 散射 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种表面增强拉曼散射传感器,其特征在于,包括基底以及基底上的金属纳米柱阵列,所述金属纳米柱的上端面为平面,截面为六边形;所述金属纳米柱的高度为400~600nm,直径为100~200nm;其中,相邻的两个金属纳米柱的间距为200~500nm。
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