[发明专利]生长钨前的硅片检测装置和方法

摘要

本发明公开了一种生长钨前的硅片检测装置，应用于设有工艺腔体的用于硅片生长钨的工艺机台中，所述检测装置包含传输腔体，其中，还包含设置在所述传输腔体内用于将入射光线照射到硅片表面的光源，以及用于接收所述入射光线经所述硅片表面反射后的反射光线的接收器；所述光源将所述入射光线照射到所述硅片表面，由所述硅片将所述入射光线反射至所述接收器，所述接收器根据接收到的所述反射光线的强弱判断所述硅片表面是否存在粘附阻挡层。本发明还公开了一种生长钨前的硅片检测方法。采用本发明的装置和方法，可以有效的避免无粘附阻挡层的硅片误进入工艺腔体造成的钨脱落、产品报废、机台整体污染的问题，能够有效减少机台停机时间。

主权项

一种生长钨前的硅片检测装置，应用于设有工艺腔体的用于硅片生长钨的工艺机台中，所述检测装置包含传输腔体，其特征在于，还包含设置在所述传输腔体内用于将入射光线照射到硅片表面的光源，以及用于接收所述入射光线经所述硅片表面反射后的反射光线的接收器；所述光源将所述入射光线照射到所述硅片表面，由所述硅片将所述入射光线反射至所述接收器，所述接收器根据接收到的所述反射光线的强弱判断所述硅片表面是否存在粘附阻挡层；在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻挡层时，所述传输腔体停止运行；在所述接收器判定所述硅片表面存在粘附阻挡层时，由所述接收器根据所述反射光线的强度计算所述粘附阻挡层的厚度是否超过预设的厚度范围；在所述粘附阻挡层的厚度超过预设的厚度范围时，所述传输腔体停止运行；在所述粘附阻挡层的厚度未超过预设的厚度范围时，由所述传输腔体将所述硅片传输到所述工艺腔体中进行钨的生长。