[发明专利]一种CMOS施密特触发电路无效
申请号: | 201310505318.0 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103607184A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 王文静;王雅莉;张瑞波 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03K3/3565 | 分类号: | H03K3/3565 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种CMOS施密特触发电路,包括第一反向电路、第二反向电路和反馈电路;第一反相电路和第二反相电路连接反馈电路;第一反向电路连接输入信号;反馈电路包括第七晶体管和第八晶体管,第七晶体管的栅极与第二反向电路连接的节点连接输出信号;第八晶体管的栅极连接一调节信号。本发明通过在施密特出发电路中引进反馈电路,并向该反馈电流提供一调节信号,通过该调节信号和反馈电流实现对迟滞现象的调节。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 施密特 触发 电路 | ||
【主权项】:
一种CMOS施密特触发电路,其特征在于,所述电路第一反向电路、第二反向电路和反馈电路;所述第一反相电路和第二反相电路连接所述反馈电路;所述第一反向电路连接输入信号(Vin);所述反馈电路包括第七晶体管和第八晶体管,所述第七晶体管的栅极与所述第二反向电路连接的节点连接输出信号(Vo);所述第八晶体管的栅极连接一调节信号(Vn);通过所述调节信号(Vn)来调整所述CMOS施密特触发电路以实现对迟滞窗的调整,使Vtl在Vtlmin和Vthinv之间变化;所述Vtl为下临界阈值电压,则Vtlmax为最大下临界阈值电压,Vtlmin为最小下临界阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310505318.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阻燃电缆绝缘材料及其制备方法
- 下一篇:双玻太阳能电池组件