[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201310505559.5 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103594568A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄苡叡;林素慧;赵志伟;徐宸科;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一半导体器件及其制作方法，其半导体器件，至少包括：发光外延叠层，具有上、下两个主表面；第一导电层，形成于所述发光外延叠层的第一表面上；第一封装层，包覆所述第一导电层；第二导电层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第二封装层，包覆所述第二导电层；其中，所述第一、第二封装层保护所述半导体器件。本发明直接在芯片工艺端制作封装，可有效提高良率以及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
半导体器件的制作方法，包括步骤：1）提供一外延片，其具有生长衬底及形成于生长衬底之上的发光外延叠层；2）在所述发光外延叠层的上表面上制作第一导电层；3）在所述第一导电层之上包覆第一封装层；4）移除生长衬底，露出所述发光外延叠层的下表面；5）在所述发光外延叠层的下表面制作第二导电层；6）在所述第二导电层之上包覆第二封装层；7）按半导体器件的尺寸，切割形成一系列半导体器件。
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