[发明专利]一种芍药嫩茎扦插繁殖的方法有效

专利信息
申请号: 201310505898.3 申请日: 2013-10-24
公开(公告)号: CN103493677A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 史国安;刘春洋;郭香凤;施江;李志勇 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G31/00;A01G7/06
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 罗民健
地址: 471000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于植物组织培养领域,具体涉及一种芍药嫩茎扦插繁殖的方法。包括取材、扦插培养、室内管理、越夏养护、越冬管理和壮苗培育,本发明通过采用低频率的超声波进行处理,能促进生根,明显加速和诱导植物细胞的分裂,刺激细胞生长,加速原生质体的蛋白质合成,提高了不定芽增殖率。且本发明中采取间歇辐照,不会产生激烈的空化效应,避免了超声对细胞造成的局部损伤。本发明通过采取在暗培养中培养生根大大减少了生长抑制剂,利于生根。本发明提供了完整的越夏养护、腋芽诱导、越冬管理和壮苗培育的具体方法,促进了芍药扦插快繁技术在实际生产中的应用,对芍药种苗规模化生产具有重要意义。
搜索关键词: 一种 芍药 扦插 繁殖 方法
【主权项】:
一种芍药嫩茎扦插繁殖的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、取材4月下旬至5月上旬芍药开花前后选取长势健壮、无病害的嫩茎,将芍药嫩茎剪制为具有三个节后作为插穗备用,插穗上切口距上芽1cm;步骤二、扦插培养去除插穗最下端的一片复叶,用生根剂浸泡插穗下端1‑2cm处30‑60 min,然后将插穗置于温度为20‑25℃,相对湿度为85‑90%的温室内静置12h,之后将插穗插入装有基质的三角瓶内进行暗培养,插入深度为3cm,同时对三角瓶施加频率为25kHz的超声波,超声波每工作5s,停止5~8s,总计工作8min;所述基质由泥炭、珍珠岩、蛭石、人畜粪便、枯草杆菌菌液和圆褐固氮菌菌液组成,各组分的体积比例为3:1:3:1:0.005:0.005,其中枯草杆菌菌液和圆褐固氮菌菌液的浓度为2.4×109个/mL;步骤三、室内管理保持温室的温度为20~30℃,相对湿度75~85%,并对插穗进行间歇喷雾,喷雾方法为:生根前每周喷一次将质量百分比浓度为25%多菌灵溶液稀释500倍后的溶液,生根后每5 d喷一次质量百分比浓度为0.2% 的KH2PO4溶液和质量百分比浓度为0.2%的尿素溶液以补充营养;步骤四、越夏养护插穗生根28~32天后开始炼苗,炼苗完成后进入越夏养护阶段,温室内每周喷一次将质量百分比浓度为25%多菌灵溶液稀释500倍后的溶液;进入越夏养护阶段后即开始进行腋芽诱导,期间定期喷施复合肥溶液和微量元素,并用萌芽剂涂抹最下端隐芽;所述萌芽剂由 6‑ 苄基腺嘌、激动素、赤霉素、甘油和羊毛脂组成,各组份配比为6‑苄基腺嘌0.04%‑0.10%、激动素0.01%‑0.05%、赤霉素 0.005%‑0.02%、二甲亚砜1.0‑3.0%、甘油1% 和羊毛脂 94.93%‑97.59%;步骤五、越冬管理入冬后将生根苗置于温棚内,保持温度不低于0℃,相对湿度不低于70%;步骤六、壮苗培育第二年3月解冻后将生根苗从容器内取出,连同基质团块移栽入大田,浇一次透水,起8~12cm高土垄保温保墒。
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