[发明专利]一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置有效

专利信息
申请号: 201310506605.3 申请日: 2013-10-22
公开(公告)号: CN103540900A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 赵彦辉;肖金泉;于宝海;华伟刚;宫骏;孙超 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/54
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于材料表面改性领域,具体为一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置,用于控制阴极弧斑运动速度,约束等离子体的传输,提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材表面大颗粒的喷射,提高靶材刻蚀均匀性。电弧离子镀装置设置有两套磁场发生装置,一套置于靶材后面,另一套置于等离子体传输通道外侧,通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体表面进行薄膜沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,可以减少靶材表面大颗粒的发射和薄膜中大颗粒的数量,解决了传统工艺等离子体在传输空间上的不均匀性,提高了等离子体的利用率,增加了薄膜的沉积速率与薄膜厚度均匀性,为制备各种高性能的薄膜提供有效保障。
搜索关键词: 一种 电弧 离子镀 复合 沉积 工艺 装置
【主权项】:
一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺,其特征在于,电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置:一套磁场发生装置Ⅰ置于靶材后面,称为弧斑约束磁场发生装置;另一套磁场发生装置Ⅱ置于真空室外的等离子体传输通道外侧,称为等离子体约束磁场发生装置;通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场,辅助对基体表面进行薄膜沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310506605.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top