[发明专利]一种背照式CMOS传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种背照式CMOS传感器及其制作方法，通过改变晶背硅刻蚀图形的设计，实现减少刻蚀的面积，即在干法刻蚀工艺中，仅仅去除掉连接盘凹槽内的器件层，从而可增加出新增电路结构，进而实现在不增加传感器面积的情况下增加有效电路面积。利用这些面积在晶圆正面设计的时候可以额外放置一些电路，来提高CMOS传感器的成像质量。

主权项

一种背照式CMOS传感器，其特征在于，所述传感器包括介质层和覆盖于该介质层上表面的器件层；所述介质层中设置有金属层，所述器件层中设置有连接盘，且该连接盘位于所述金属层的正上方；在所述器件层中，仅刻蚀去除形成所述连接盘所需的所述器件层以形成连接盘凹槽，而保留位于相邻的两连接盘之间的器件层，相邻的两连接盘之间的器件层中还设置有新增器件结构；新增器件结构的周围还设置有隔离结构，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。