[发明专利]空间三维磁场检测传感器

摘要

发明公开了空间三维磁场检测传感器，包括：单晶硅衬底，第一硅磁敏晶体管，第二硅磁敏晶体管，第三硅磁敏晶体管，第四硅磁敏晶体管，第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管，第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；根据本发明提供的空间三维磁场检测传感器，具有灵敏度高，不受温度漂移的影响，同时该传感器有利于集成化和小型化。

主权项

空间三维磁场检测传感器，其特征在于，该传感器包括四个硅磁敏晶体管和四个薄膜晶体管；其中，在单晶硅衬底(41)上表面设置所述四个硅磁敏晶体管的集电极和基极，在单晶硅衬底(41)下表面上，在分别与四个硅磁敏晶体管的集电区相对的位置分别设置四个C型硅杯，在四个C型硅杯面上分别设置N型掺杂区，分别构成四个硅磁敏晶体管的发射区，并在N型掺杂区上设置金属层（42），形成公共发射极，在所述四个硅磁敏晶体管中，第一硅磁敏晶体管（111）与第二硅磁敏晶体管（112）的磁敏感方向相反，并且第一硅磁敏晶体管的集电极的输出电压与第二硅磁敏晶体管的集电极的输出电压形成第一差分输出结构；第三硅磁敏晶体管（113）与第四硅磁敏晶体管（114）的磁敏感方向相反，并且第三硅磁敏晶体管的集电极的输出电压与第四硅磁敏晶体管的集电极的输出电压形成第二差分输出结构；第一硅磁敏晶体管的基极与第三硅磁敏晶体管的基极相连，形成基极第一公共端B1，第二硅磁敏晶体管的基极与第四硅磁敏晶体管的基极相连，形成基极第二公共端B2；在单晶硅衬底(41)上表面设置所述四个薄膜晶体管；在所述四个薄膜晶体管中，第一薄膜晶体管（115）的一个霍尔输出端与第三薄膜晶体管（117）的一个霍尔输出端串联，第一薄膜晶体管的另一个霍尔输出端和第三薄膜晶体管的另一个霍尔输出端分别输出第一电压和第三电压；第一薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的漏极相连，形成第一公共漏极D1；第一薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的源极相连，形成第一公共源极S1；第二薄膜晶体管（116）的一个霍尔输出端与第四薄膜晶体 管（118）的一个霍尔输出端串联，第二薄膜晶体管的另一个霍尔输出端与第四薄膜晶体管的另一个霍尔输出端分别输出第二电压和第四电压；第二薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极相连形成第二公共漏极D2；第二薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的源极相连，形成第二公共源极S2。