[发明专利]模拟方法及程序、模拟器、加工设备和制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201310507750.3 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103809462A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 久保井信行;木下隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G05B17/02 | 分类号： | G05B17/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及模拟方法及程序、模拟器、加工设备、和制造半导体装置的方法。所述模拟方法包括：对入射于工件表面上的任意位置上的第一通量从所述位置进行反向追踪，所述工件作为加工处理的对象；在因第一通量的反向追踪结果而使第一通量撞击所述工件的表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对第二通量进行反向追踪，该第二通量是第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及通过重复所述计算及对通量的反向追踪，当反向追踪的通量不再撞击所述工件表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 方法 程序 模拟器 加工 设备 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种由信息处理装置执行计算的模拟方法，所述计算包括如下过程：对入射于工件的表面上的任意位置上的第一通量从所述任意位置进行反向追踪，所述工件作为预定加工处理的对象；在因所述第一通量的所述反向追踪的结果而使所述第一通量撞击所述工件的所述表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对所述第二通量进行反向追踪，所述第二通量是所述第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及通过重复所述计算及对通量的所述反向追踪，当所述反向追踪的通量不再撞击所述工件的所述表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从所述第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。
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