[发明专利]能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构有效
| 申请号： | 201310507954.7 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515494A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 唐祖荣;周勇;杨晓波;罗洪静;王华平;孙迎波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构，包括超辐射发光二极管芯片，所述超辐射发光二极管芯片由顺次层叠的N面电极层、衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、顶层、电隔离层和P面电极层组成，其中，N面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的下端面，P面电极层所在端面为超辐射发光二极管芯片的上端面；超辐射发光二极管芯片上端面设置有无源吸收区和有源区；其改进在于：所述无源吸收区范围内的P面电极层与N面电极层通过外接引线短接。本发明的有益技术效果是：可有效收集和消除无源吸收区内的电子空穴对，避免无源吸收区抑制光反馈能力随着输出功率增大而下降，提高超辐射发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 辐射 发光二极管 光谱 波纹 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构，包括超辐射发光二极管芯片，所述超辐射发光二极管芯片由顺次层叠的N面电极层（1）、衬底层（2）、缓冲层（3）、下限制层（4）、下波导层（5）、有源层（6）、上波导层（7）、上限制层（8）、顶层（9）、电隔离层（10）和P面电极层（11）组成，其中，N面电极层（1）所在端面为超辐射发光二极管芯片的下端面，P面电极层（11）所在端面为超辐射发光二极管芯片的上端面；超辐射发光二极管芯片上端面设置有无源吸收区（12）和有源区（13）；其特征在于：所述无源吸收区（12）范围内的P面电极层（11）与N面电极层（1）通过外接引线短接。
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