[发明专利]基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310508835.3 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN103510074A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 李爱东;曹燕强;曹正义;吴迪 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/08;C23C16/18
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 贺翔
地址: 210008 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法,首先进行衬底或沉积载体的准备,之后将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室,使用有机分子作为有机前驱体,同时引入两种或两种以上的无机前驱体,交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室,在衬底或沉积载体表面原位生成复合无机-有机杂化物薄膜。本发明通过在生长无机-有机杂化物薄膜的过程中,使用有机分子作为前驱体,同时引入多种无机前驱体,并调节其脉冲序列流程,原子层沉积循环次数比,可以得到成分可调的复合无机-有机杂化物薄膜。
搜索关键词: 基于 ald 技术 复合 无机 有机 杂化物 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种基于ALD技术的复合无机‑有机杂化物薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)衬底或沉积载体的准备,2)将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室,使用有机分子作为有机前驱体,同时引入两种或两种以上的无机前驱体,交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室,并且在此过程中,通过调节无机前驱体的沉积循环次数比,在衬底或沉积载体表面原位生成成分可调的复合无机‑有机杂化物薄膜。
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