[发明专利]基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310508835.3 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN103510074A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 李爱东;曹燕强;曹正义;吴迪 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/08;C23C16/18 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210008 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法,首先进行衬底或沉积载体的准备,之后将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室,使用有机分子作为有机前驱体,同时引入两种或两种以上的无机前驱体,交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室,在衬底或沉积载体表面原位生成复合无机-有机杂化物薄膜。本发明通过在生长无机-有机杂化物薄膜的过程中,使用有机分子作为前驱体,同时引入多种无机前驱体,并调节其脉冲序列流程,原子层沉积循环次数比,可以得到成分可调的复合无机-有机杂化物薄膜。 | ||
搜索关键词: | 基于 ald 技术 复合 无机 有机 杂化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于ALD技术的复合无机‑有机杂化物薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)衬底或沉积载体的准备,2)将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室,使用有机分子作为有机前驱体,同时引入两种或两种以上的无机前驱体,交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室,并且在此过程中,通过调节无机前驱体的沉积循环次数比,在衬底或沉积载体表面原位生成成分可调的复合无机‑有机杂化物薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的