[发明专利]具有多个放大器晶体管的高动态范围像素有效
| 申请号： | 201310511423.5 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104023183A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;林志强;胡信中;毛杜立;戴幸志 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/3745;H04N5/355 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多个放大器晶体管的高动态范围像素。本发明揭示一种供在高动态范围图像传感器中使用的像素单元，其包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷。传送晶体管安置于所述半导体材料中且耦合于浮动扩散部与所述光电二极管之间。第一放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第一放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第一输出信号的源极端子。第二放大器晶体管安置于所述半导体材料中，所述第二放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第二输出信号的源极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 放大器 晶体管 动态 范围 像素 | ||
【主权项】：
一种供在高动态范围图像传感器中使用的像素单元，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷；传送晶体管，其安置于所述半导体材料中，所述传送晶体管耦合于浮动扩散部与所述光电二极管之间；第一放大器晶体管，其安置于所述半导体材料中，所述第一放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第一输出信号的源极端子；及第二放大器晶体管，其安置于所述半导体材料中，所述第二放大器晶体管具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子及经耦合以产生所述像素单元的第二输出信号的源极端子。
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