[发明专利]铜衬底上的碳纳米管生长在审
| 申请号： | 201310511539.9 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103794552A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 维克托·普施帕拉吉;吉恩·马拉马格 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C01B31/02;H01M4/134;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在铜衬底上形成碳纳米管的方法可包含：提供铜衬底；在铜衬底上沉积钛金属薄膜粘合层；在钛金属薄膜上沉积氮化钛薄膜，氮化钛薄膜厚度在100纳米至200纳米之间；在氮化钛薄膜上沉积催化剂金属，所述催化剂金属在氮化钛薄膜的表面上处于离散颗粒形式；和在催化剂金属的离散颗粒上生长碳纳米管，所述碳纳米管生长至至少3微米的平均长度；其中所述氮化钛薄膜是扩散阻挡层，所述扩散阻挡层防止铜与催化剂金属的合金化。为了形成硅电池电极，所述方法可进一步包括在碳纳米管的整个长度上在所述碳纳米管上沉积硅。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 纳米 生长 | ||
【主权项】：
一种在铜衬底上形成碳纳米管的方法，包含：提供铜衬底；在所述铜衬底上沉积钛金属薄膜粘合层；在所述钛金属薄膜上沉积氮化钛薄膜，所述氮化钛薄膜的厚度在100纳米至200纳米之间；在所述氮化钛薄膜上沉积催化剂金属，所述催化剂金属在所述氮化钛薄膜的表面上处于离散颗粒形式；以及在催化剂金属的所述离散颗粒上生长碳纳米管，所述碳纳米管生长至至少3微米的平均长度；其中所述氮化钛薄膜是扩散阻挡层，所述扩散阻挡层防止铜与所述催化剂金属的合金化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
