[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310511688.5 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103779423B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;岛行德;德永肇;佐佐木俊成;村山佳右;松林大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括晶体管的半导体装置，其特征在于，包括：衬底上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的多层膜；与所述多层膜电连接的一对电极；所述栅极绝缘膜、所述多层膜及所述一对电极上的第一氧化物绝缘膜；以及所述第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，所述多层膜包括：第一氧化物膜；所述第一氧化物膜上的氧化物半导体膜；及所述氧化物半导体膜上的第二氧化物膜，所述第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，所述第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜，所述第一氧化物膜、所述氧化物半导体膜和所述第二氧化物膜均是In‑M‑Zn氧化物，所述M表示Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf，且所述晶体管的阈值电压向正方向或负方向的变动量为1.0V以下。
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