[发明专利]半导体发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310511836.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104037299A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 木村晃也;樋口和人;小幡进 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一实施例，半导体发光元件包括在第一方向延伸的第一导电柱、在第一方向延伸的第二导电柱、设置在第一导电柱上的第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、设置在发光层上和第二导电柱上的第二导电类型的第二半导体层、覆盖第一导电柱的侧表面和第二导电柱的侧表面的密封单元、以及设置在第二半导体层上并具有透光性的透光层。透光层的上表面部分的硬度高于上表面部分与第二半导体层之间的下部的硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，包括：第一导电柱，其在第一方向上延伸；第二导电柱，其被设置为在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一导电柱分离开，并在所述第一方向延伸；第一导电类型的第一半导体层，其设置在所述第一导电柱上；发光层，其设置在所述第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其设置在所述发光层上和所述第二导电柱上；密封单元，其覆盖所述第一导电柱的侧表面和所述第二导电柱的侧表面；以及透光层，设置在所述第二半导体层上并具有透光性，所述透光层的上表面部分的硬度高于所述上表面部分与所述第二半导体层之间的下部的硬度。
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