[发明专利]使用微波辐射活化掺杂剂的方法和系统有效
| 申请号： | 201310512941.9 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104347366A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;林衍廷;詹承彥;林以唐;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供活化半导体结构中的掺杂剂的系统和方法。例如，提供包括多个掺杂剂的半导体结构。提供一种或多种微波吸收材料，微波吸收材料能够增加与半导体结构相关的电场强度。将微波辐射施加至微波吸收材料和半导体结构，以活化多个掺杂剂，用于制造半导体器件。微波吸收材料被配置为响应于微波辐射而增加电场强度，从而增强半导体结构的微波辐射的吸收，以活化掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 微波 辐射 活化 掺杂 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种活化半导体结构中的掺杂剂的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括多种掺杂剂；提供一种或多种微波吸收材料，所述一种或多种微波吸收材料能够增加与所述半导体结构相关的电场强度；以及将微波辐射施加至所述微波吸收材料和所述半导体结构，以活化所述多种掺杂剂，用于制造半导体器件；其中，所述微波吸收材料被配置为响应于所述微波辐射而增加所述电场强度，从而增强所述半导体结构对所述微波辐射的吸收，以活化所述掺杂剂。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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