[发明专利]一种基于CNFET的三值或非门

摘要

本发明公开了一种基于CNFET的三值或非门，包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管和第八CNFET管，第二CNFET管的漏极和第三CNFET管的漏极连接，第三CNFET管的源极和第四CNFET管的漏极连接，第五CNFET管的漏极、第六CNFET管的漏极和第七CNFET管的漏极连接，第七CNFET管的源极和第八CNFET管的漏极连接，第一CNFET管的栅极、第四CNFET管的栅极、第六CNFET管的栅极和第八CNFET管的栅极连接且其连接端为第一信号输入端，第二CNFET管的栅极、第三CNFET管的栅极、第五CNFET管的栅极和第七CNFET管的栅极连接且其连接端为第二信号输入端，第一CNFET管的漏极、第五CNFET管的源极和第六CNFET管的源极连接且其连接端为信号输出端；优点是结构简单，传输速度较快，且功耗较低。

主权项

一种基于CNFET的三值或非门，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管和第八CNFET管，所述的第一CNFET管、所述的第二CNFET管、所述的第五CNFET管和所述的第六CNFET管为N型CNFET管，所述的第三CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第七CNFET管和所述的第八CNFET管为P型CNFET管，所述的第一CNFET管和所述的第二CNFET管的阈值电压为0.62V，所述的第三CNFET管和所述的第四CNFET管的阈值电压为‑0.62V，所述的第五CNFET管和所述的第六CNFET管的阈值电压为0.17V，所述的第七CNFET管和所述的第八CNFET管的阈值电压为‑0.17V，所述的第一CNFET管的源极、所述的第一CNFET管的基极、所述的第二CNFET管的源极和所述的第二CNFET管的基极接地，所述的第二CNFET管的漏极和所述的第三CNFET管的漏极连接，所述的第三CNFET管的源极和所述的第四CNFET管的漏极连接，所述的第五CNFET管的漏极、所述的第六CNFET管的漏极和所述的第七CNFET管的漏极连接，所述的第七CNFET管的源极和所述的第八CNFET管的漏极连接，所述的第三CNFET管的基极、所述的第四CNFET管的基极、所述的第四CNFET管的源极、所述的第五CNFET管的基极和所述的第六CNFET管的基极接入0.9V电压，所述的第七CNFET管的基极和所述的第八CNFET管的基极接入‑0.9V电压，所述的第八CNFET管的源极接入0.45V电压，所述的第一CNFET管的栅极、所述的第四CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的栅极和所述的第八CNFET管的栅极连接且其连接端为第一信号输入端，所述的第二CNFET管的栅极、所述的第三CNFET管的栅极、所述的第五CNFET管的栅极和所述的第七CNFET管的栅极连接且其连接端为第二信号输入端，所述的第一CNFET管的漏极、所述的第五CNFET管的源极和所述的第六CNFET管的源极连接且其连接端为信号输出端。