[发明专利]通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法及校正外延炉台温场方法有效
| 申请号： | 201310513112.2 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103605388B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王浩;邹崇生 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/24 | 分类号： | G05D23/24;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，包括步骤，A、提供一离子注入晶片；B、将离子注入晶片升高至指定温度T1，然后降温至常温；C、检测离子注入晶片多个点的电阻率ρ；D、根据电阻率与温度的换算关系确定外延炉台多个点的温度值。本发明可以直接表征实际长晶时基板片上每一点的温度，当出现均匀性差时可根据点的位置重新改善炉台内温场的分布，避免了大量的温度感应测量装置需要被设置在炉台内的问题，节约了机台内部的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子 注入 晶片 检测 外延 炉台 温度 方法 校正 | ||
【主权项】：
通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，包括步骤，A、提供一离子注入晶片；B、将离子注入晶片升高至指定温度T1，然后降温至常温；C、检测离子注入晶片多个点的电阻率ρ；D、根据电阻率与温度的换算关系确定外延炉台多个点的温度值；步骤D中，电阻率与温度的换算关系为T＝1130℃‑(ρ‑348)/a；T为外延炉台各点的温度，单位是℃；ρ为电阻率，单位是ohm·cm；a为系数，取值为0.5～1.5；步骤D中，首先将外延炉台升温至指定温度，再采用测温仪测量温场三个以上位置的温度，并检测与该温场三个以上位置对应的晶片处的电阻率，代入公式T＝1130℃‑(ρ‑348)/a，确定a值大小；或者，步骤D中，分别将外延炉台设定为三个以上不同的温度，采用测温仪测量温场同一位置的温度，并测量该温场位置对应的晶片处在不同温度下处理后的电阻率，代入公式T＝1130℃‑(ρ‑348)/a，确定a值大小。
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