[发明专利]一种包括铌掺杂的n型SiC外延层的PIN型同位素核电池无效
| 申请号： | 201310513587.1 | 申请日： | 2013-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103646677A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 梅欣 | 申请（专利权）人： | 溧阳市浙大产学研服务中心有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括铌掺杂的n型SiC外延层的PIN型同位素核电池，其包括放射性同位素源层1、SiO2钝化层2、SiO2致密绝缘层3、p型欧姆接触电极4、p型SiC外延层5、n型SiC外延层6、n型SiC衬底7和n型欧姆接触电极8，其中n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的铌离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3。其减少本征层的载流子浓度，增大耗尽区宽度，提高产生的电子空穴对的收集率，进而提高器件的开路电压和能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包括 掺杂 sic 外延 pin 同位素 核电 | ||
【主权项】：
一种PIN型同位素核电池，自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(2)、SiO2致密绝缘层(3)、p型欧姆接触电极(4)、p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)，其特征在于：n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm‑2的铌离子形成。
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