[发明专利]阻变存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括底部结构，包括加热电极；数据储存材料，每个数据储存材料以垂直于底部结构的受限结构形成在底部结构上，并且具有小于上直径的下直径；上电极，形成在每个数据储存材料上；以及绝缘单元，形成在相邻的数据储存材料之间。

主权项

一种阻变存储器件，包括：底部结构，所述底部结构包括加热电极；多个开口，所述多个开口大体垂直于所述底部结构的表面而延伸，所述多个开口的每个开口被一结构限定成具有第一直径和第二直径，所述第一直径相邻于所述底部结构，所述第二直径远离所述底部结构，其中，所述第一直径小于所述第二直径；数据储存材料，所述数据储存材料形成在所述多个开口的每个开口中；上电极，所述上电极形成在所述数据储存材料上；以及绝缘单元，所述绝缘单元形成在相邻的数据储存材料之间，其中，所述结构的限定所述第一直径的部分包括第一材料，而所述结构的限定所述第二直径的部分包括与所述第一材料不同的第二材料，其中，所述第一材料具有比所述第二材料的氧化速度大的氧化速度。