[发明专利]变容器有效
| 申请号： | 201310516070.8 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904136B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李思翰;曾珮玲;林哲辉;林志昇 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。 | ||
| 搜索关键词： | 容器 | ||
【主权项】：
一种变容器，其特征在于，包括：基底，具有第一表面与平行于上述第一表面的第二表面，以及位于上述基底的第一开口以及第二开口；导电材料，填充于上述第一开口以及上述第二开口，以分别形成第一晶圆穿孔以及第二晶圆穿孔；第一电容，耦接于上述第一晶圆穿孔以及第一端点之间；以及第二电容，耦接于上述第二晶圆穿孔以及第二端点之间，其中上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的第一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔的偏压电压所决定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310516070.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种粉盒
- 下一篇：包括气隙的半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
