[发明专利]原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法和设备有效
| 申请号： | 201310519337.9 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103540829A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王同敏;邹存磊;李明宇;王维;张鹏超;曹志强;李廷举 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C22C1/03;B22D27/02 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法和设备，原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法包括以下步骤：1）将纯铜置于真空熔炼炉炉膛中，将炉膛抽真空后，反充惰性气体，加热至纯铜完全熔化，并升温到1000-1500℃；2）向铜液中加入Cu-B中间合金，待Cu-B中间合金均匀熔化于铜液中；3）向铜液中加入Cu-Ti中间合金，反应2-10分钟；4）将铜液调整温度至1000-1500℃，并将铜液浇铸在位于旋转磁场中的石墨铸模中，在浇铸时，施加旋转磁场；5）冷凝获得TiB2/Cu复合材料。本发明步骤科学、合理，制备得到的TiB2/Cu复合材料在保证导电性的同时，还具有较高的抗拉强度。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 制备 tib sub 增强 复合材料 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将纯铜置于真空熔炼炉炉膛中，将炉膛抽真空后，反充惰性气体，加热至纯铜完全熔化并升温到1000‑1500℃；2）向铜液中加入Cu‑B中间合金，待Cu‑B中间合金均匀熔化于铜液中；3）向铜液中加入Cu‑Ti中间合金，反应2‑10分钟；4）将铜液调整温度至1000‑1500℃，并将铜液浇铸在位于旋转磁场中的石墨铸模中，在浇铸时，施加旋转磁场；5）冷凝获得TiB2/Cu复合材料。
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