[发明专利]一种基于冷等离子体射流的质谱离子化方法及离子源装置有效
| 申请号： | 201310520005.2 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103545165A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;郭成安;王晓浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10;H01J49/14;G01N27/68 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于冷等离子体射流的质谱离子化方法及离子源装置，属于质谱分析技术领域。本发明使用铜管、不锈钢管等导电金属管或者外表面敷有放电电极的石英管作为放电腔，使用高压电源作为放电电源；在放电腔进气口通入放电气体，调节气体流量，在出气口可产生稳定的冷等离子体射流；此射流可使样品离子化，进而实现离子检测。此技术可采用样品气和放电气体混合（当样品为气体或易挥发性物质时）以及射流直喷样品两种方式使样品发生离子化。本发明还涉及到相应的离子源装置，此装置可在敞开式环境中应用，具有搭建方便、体积小、价格低廉、低能耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 等离子体 射流 离子化 方法 离子源 装置 | ||
【主权项】：
一种基于冷等离子体射流的质谱离子化方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）将样品放到样品台上；2）调节冷等离子体射流发生器（7）放电腔的中心线与质谱锥孔（10）轴线的角度在0°～90°，冷等离子体射流出口与质谱锥孔的距离在1mm～100mm；3）将放电气体引入冷等离子体射流发生器（7）中，控制放电气体流量在0.1L/min～10L/min；4）启动高压电源（6），使冷等离子体射流发生器（7）产生冷等离子体射流并使该射流直接喷射在样品上，将样品离子化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310520005.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浮栅晶体管的制作方法
- 下一篇：利用永久磁石与电磁石发明的汽车缓冲装置
