[发明专利]一种耦合器校准方法有效
| 申请号： | 201310520028.3 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103529421A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 方维海;年丰;张璐;温鑫 | 申请（专利权）人： | 北京无线电计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01R35/02 | 分类号： | G01R35/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耦合器校准方法，该校准方法包括如下步骤：利用第一耦合器校准装置和第二耦合器校准装置测量待测耦合器的耦合度本底值和反射系数本底值；利用高温箱将待测耦合器的温度升高至需要的温度并且保持该温度稳定；利用矢量网络分析仪测量待测耦合器的耦合度和反射系数，获得待测耦合器的耦合度高温测量值和反射系数高温测量值；计算待测耦合器的耦合度高温测量值与耦合度本底值的差值获得待测耦合器的耦合度真实值；计算待测耦合器的反射系数高温测量值与反射系数本底值的差值获得耦合器的反射系数真实值。本发明的校准方法能够适用于大功率耦合器的校准；本发明的校准方法能够提高大功率耦合器的校准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合器 校准 方法 | ||
【主权项】：
一种耦合器校准方法，其特征在于，该校准方法包括如下步骤：利用第一耦合器校准装置和第二耦合器校准装置测量待测耦合器的耦合度本底值和反射系数本底值；利用高温箱将待测耦合器的温度升高至需要的温度并且保持该温度稳定；利用矢量网络分析仪测量待测耦合器的耦合度和反射系数，获得待测耦合器的耦合度高温测量值和反射系数高温测量值；计算待测耦合器的耦合度高温测量值与耦合度本底值的差值获得待测耦合器的耦合度真实值；计算待测耦合器的反射系数高温测量值与反射系数本底值的差值获得耦合器的反射系数真实值。
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