[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310520112.5 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576505A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/763 | 分类号： | H01L21/763 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化硅层；图案化所述氮化硅层、垫氧化层和部分的半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述垫氮化物层和所述浅沟槽的底部以及侧壁上形成硅种子层；在所述浅沟槽中填充HARP氧化物层；执行退火工艺以致密化所述HARP氧化物层。根据本发明的制造工艺在形成HARP氧化物之前在浅沟槽中先形成一层硅种子层可以避免在采用退火工艺处理半导体器件之后使得硅的关键尺寸缩小的问题，同时还可以优化半导体衬底中浅沟槽的形态，增强后续步骤中形成的浅沟槽顶角的圆滑效果，也有利于后续对浅沟槽的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化硅层；图案化所述垫氮化硅层、所述垫氧化层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述垫氮化物层和所述浅沟槽的底部以及侧壁上形成硅种子层；在所述浅沟槽中填充HARP氧化物层；执行退火工艺以致密化所述HARP氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
