[发明专利]一种射频等离子体反应室

摘要

一种射频等离子体反应室，广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。这种射频等离子体反应室包括设置在真空腔室中的上基片台和下基片台，上基片台通过上支撑筒固定在密封盖上的上基片台固定装置上，上基片台采用容性耦合基片台或感性耦合基片台；下基片台通过下基片台轴向位置调节机构固定在底板上，调整调节螺母时，移动法兰在导向杆上滑动，使波纹管变形，位于波纹管内的下支撑筒移动，改变与下支撑筒连接在一起的下基片台与上基片台之间的距离。该等离子体反应器的优点在于能够根据不同的工艺需求，选择不同的等离子体产生区的直径、高度及放电模式，从而能够优化半导体器件加工设备的设计和制造，缩短不同工艺所需等离子体反应器的研制周期。

主权项

一种射频等离子体反应室，包括设置在真空腔室中的上基片台（3）和下基片台（5），其特征在于：所述真空腔室采用主腔体（1）、密封盖（2）和底板（2a）构成，并固定在实验台架（10）上，主腔体（1）的周边设有多个石英观察窗（8），底板（2a）上设有金属套筒（6），金属套筒（6）内侧的底板（2a）上设有出气口（7）；所述上基片台（3）通过上支撑筒（18）固定在密封盖（2）上的上基片台固定装置（4）上，上基片台（3）采用容性耦合基片台或感性耦合基片台；所述下基片台（5）通过下基片台轴向位置调节机构（9）固定在底板（2a）上，下基片台轴向位置调节机构（9）包括调节螺母（9a）、导向杆（9b）、移动法兰（9d）和保持所述真空腔室密封的波纹管（9c）；调整调节螺母（9a）时，移动法兰（9d）在导向杆（9b）上滑动，使波纹管（9c）变形，位于波纹管（9c）内的下支撑筒（53）移动，改变与下支撑筒（53）连接在一起的下基片台（5）与上基片台（3）之间的距离。