[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310522011.1 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104576503A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王刚宁;戴执中;冯喆韻;贺吉伟;浦贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。根据本发明的制造工艺形成的热氧化侧墙绝缘能力强；深沟槽侧墙的顶端被氮化硅层保护没有损失；深沟槽侧壁的保护层均匀，对后续的填充以避免产生孔洞有很大的帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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