[发明专利]通孔填充结构以及通孔填充方法在审
| 申请号： | 201310524371.5 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576607A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 康晓春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。本发明还提供一种通孔填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强，在所述钨层上制备所述阻挡层时，较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述通孔，并且所述阻挡层的厚度均匀；当在所述阻挡层上再制备金属层时，所述金属层能很好的填充到所述通孔中；另外，所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力，并且所述阻挡层较薄，有利于提高通孔的导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。
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