[发明专利]基于半导体纳米结构的晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310525012.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103531623A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;任铮;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/423;H01L21/334;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于一维半导体纳米结构的晶体管器件，包括：Si/SiO2衬底；源极和漏极，形成于所述衬底上；一维的半导体纳米结构，其两端分别连接所述源极和漏极，且其表面覆盖一层高k栅介质层；分立栅极，形成于所述高k栅介质层上且为位于所述源极和漏极之间的二叉指结构；控制栅极，形成于所述高k栅介质层上，其位于所述二叉指结构的中间；所述二叉指结构与所述控制栅极均垂直于所述半导体纳米结构。本发明的晶体管器件能够根据施加于分立栅极的电压而工作于场效应晶体管模式或单电子晶体管模式。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 纳米 结构 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于一维半导体纳米结构的晶体管器件，其特征在于，包括：Si/SiO2衬底；源极和漏极，形成于所述衬底上；一维的半导体纳米结构，形成于所述衬底上，其两端分别连接所述源极和漏极，且其表面覆盖一层高k栅介质层；分立栅极，形成于所述高k栅介质层上且为位于所述源极和漏极之间的二叉指结构；控制栅极，形成于所述高k栅介质层上，其位于所述二叉指结构的中间；所述二叉指结构与所述控制栅极均垂直于所述半导体纳米结构；其中，所述晶体管器件根据施加于所述分立栅极的电压而工作于场效应晶体管模式或单电子晶体管模式。
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