[发明专利]一种微波薄膜衰减器的制作方法有效
| 申请号： | 201310525700.8 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103545590A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马子腾;张猛;刘金现 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于衰减器技术领域，涉及一种微波薄膜衰减器的制作方法，包括：采用激光切割的方法加工介质基片，预先在接地电极处形成通孔；采用真空溅射的方法实现介质基片表面与通孔内的金属化，形成金属化膜层结构；采用光刻工艺形成衰减器图形；电镀加厚导体电路；通过加热的办法对整片衰减器电路进行热氧化调阻；使用探针台对衰减器进行指标测试；使用划切的方法分割成独立的衰减器图形，在衰减器的四个角上体现侧面金属化效果。本发明能够实现精细的电路图形，利于小型化，满足了高频应用的场合，且避免了单片手工包边接地，提高了生产效率，利于量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 薄膜 衰减器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微波薄膜衰减器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：采用激光切割的方法加工介质基片，预先在接地电极处形成通孔；步骤二：采用真空溅射的方法实现介质基片表面与通孔内的金属化，形成金属化膜层结构；步骤三：采用光刻工艺形成衰减器图形；步骤四：电镀加厚导体电路；步骤五：通过加热的办法对整片衰减器电路进行热氧化调阻；步骤六：使用探针台对衰减器进行指标测试；步骤七：使用划切的方法分割成独立的衰减器图形，在衰减器的四个角上体现侧面金属化效果。
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