[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310527055.3 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794691B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 金京完;金泰均;尹余镇;金艺瑟;吴尚炫;李珍雄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩明星,戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括单位芯片。所述单位芯片包括基板以及依次层叠于所述基板上的第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层。在所述单位芯片的侧表面内设置有沿竖直方向形成的不规则的纵线形状的凹凸结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：具有基板以及在所述基板上依次层叠的第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层的单位芯片；掺杂区域，形成在所述单位芯片的侧表面内；以及延长电极，设置在所述单位芯片的侧表面上，并且电连接到所述第1导电型半导体层，其中，在所述单位芯片的侧表面内，形成有沿竖直方向形成的不规则的纵线形状的凹凸结构。
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