[发明专利]基于二维电子气的可调式恒流管无效
| 申请号： | 201310528341.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103531626A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二维电子气的可调式恒流管，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别设置漏极金属层、栅极金属层和源极金属层。所述漏极金属层、源极金属层与AlGaN层之间形成欧姆接触；所述栅极金属层与AlGaN层之间为非欧姆接触。所述漏极金属层和源极金属层为Ti/Al或Ti/Al/Ti/Au或Ti/Al/Ni/Au金属层。所述栅极金属层为Pt金属。本发明可以实现变化栅极的偏置电压，达到改变电子气电流大小的可调式目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 电子 调式 流管 | ||
【主权项】：
一种基于二维电子气的可调式恒流管，包括衬底（1），其特征是：在所述衬底（1）上表面设置GaN层（2），在GaN层（2）上表面设置AlGaN层（4），在GaN层（2）和AlGaN层（4）之间形成二维电子气（3）；在所述AlGaN层（4）上表面分别设置漏极金属层（5）、栅极金属层（6）和源极金属层（7）。
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