[发明专利]一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管

摘要

一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管，涉及双极晶体管。设有金属化集电极、P型集电极区、N-型漂移区、二氧化硅侧边多晶硅氧化层、侧边多晶硅电极、金属化侧边多晶硅电极、P+体区、金属化发射极、N+型源区、P型基区、金属化栅极、多晶硅栅电极和二氧化硅栅氧化层。在传统的沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管中引入侧边多晶硅电极技术。不需增加掩膜版，同时把原有P+体区的结深扩展到与N-型漂移区相接。这样在Side-poly加上正电压，就可形成反向电场，解决了传统Trench-NPT-IGBT由于沟槽底部曲面率小而电场累积的缺点，有效降低沟槽栅极底部的峰值电场。具有更高的击穿电压和更低的阈值电压。

主权项

一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管，其特征在于设有金属化集电极、P型集电极区、N‑型漂移区、二氧化硅侧边多晶硅氧化层、侧边多晶硅电极、金属化侧边多晶硅电极、P+体区、金属化发射极、N+型源区、P型基区、金属化栅极、多晶硅栅电极和二氧化硅栅氧化层；所述金属化集电极位于P型集电极区的背面，N‑型漂移区位于P型集电极区的正面；N+型源区和P+体区并排位于金属化发射极下方，N+型源区和P+体区与金属化发射极相连，其中，P+体区下方直接与N‑型漂移区相连，N+型源区与N‑型漂移区之间隔着P型基区；多晶硅栅电极设在器件顶部并位于金属化发射极的一侧，多晶硅栅电极侧面被二氧化硅栅氧化层所包围；二氧化硅栅氧化层的侧壁分别与N+型源区、P型基区和N‑型漂移区接触，二氧化硅栅氧化层底部与N‑型漂移区接触；侧边多晶硅电极设在器件顶部并位于金属化发射极的另一侧，侧边多晶硅电极侧边被二氧化硅侧边多晶硅氧化层所包围；二氧化硅侧边多晶硅氧化层的侧壁分别与P+体区、N‑型漂移区接触，二氧化硅侧边多晶硅氧化层底部与N‑型漂移区接触。