[发明专利]等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法有效

专利信息
申请号: 201310528686.7 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103594051A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 华国环;郭薇;刘清惓 申请(专利权)人: 南京信息工程大学
主分类号: G09G3/28 分类号: G09G3/28;G06F17/50
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 张慧清;叶涓涓
地址: 210044 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法,能够对列驱动芯片的能量恢复效率和输出电压波形进行高精度建模分析,包括如下步骤:测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线;利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和放电过程中电压电流关系的多项式表达式;利用多项式表达式生成DPLD管的压控电流源模型,并分别代入充电仿真电路和放电仿真电路中,得到列驱动芯片在充电和放电过程中输出电压的变化趋势;利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形,计算出该芯片的能量恢复效率。
搜索关键词: 等离子 电视 驱动 芯片 dpld 建模 分析 方法
【主权项】:
一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法,其特征在于:包括如下步骤:A.测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线;B.根据步骤A中得到的电压电流曲线,利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和放电过程中电压电流关系的多项式表达式,如下所示:充电过程中:ID=0.001375V3DS‑0.129625V2DS+3.984625VDS‑0.698375  (1)放电过程中:ID=‑0.03975V2DS+4.3375VDS‑1.89875  (2)其中ID为DPLD管的沟道电流,VDS为储能电容和屏电容上电压差值;C.根据式(1)和(2)分别建立充电和放电过程中的压控电流源模型,并分别代入充电仿真电路和放电仿真电路中,得到列驱动芯片在充电和放电过程中输出电压的变化趋势;D.利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形,计算出该芯片的能量恢复效率,如下所示:充电效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100%  (3)其中,Vout1(70ns)是充电过程中充电时间为70ns时的电压幅值,Vpp是列驱动芯片的工作电源电压。
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