[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310529109.X | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104600139A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 胡居涛;庄春泉;王勇;邱骏;符政宽 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/077;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法,太阳能电池的I层光吸收层所用薄膜材料为采用梯度氢稀释方法制备而得的初晶态非晶硅I-a-Si:H薄膜材料;所述梯度氢稀释方法将氢稀释浓度通过改变H2与SiH4的流量来实现氢稀释浓度由高到低变化。本发明使用梯度氢稀释方法制备光吸收层,开始采用高氢稀释度,使薄膜很快进入初晶态,随着薄膜的生长,降低氢稀释度,避免了在薄膜生长过程中,固定高氢稀释度使薄膜微晶化的问题,从而使薄膜一直处在初晶态的状态,极大的改善了薄膜的纵向均匀性;此种均匀性良好的光吸收层用于电池可有效提升电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述太阳能电池的I层光吸收层所用薄膜材料为采用梯度氢稀释方法制备而得的初晶态非晶硅I‑a‑Si:H薄膜材料;所述梯度氢稀释方法将氢稀释浓度通过改变H2与SiH4的流量来实现氢稀释浓度由高到低变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的