[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310529426.1 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103794985A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | J.霍夫里克特;M.里克特;L.乔诺马兹;H.E.里尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/187;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及至少在光学应用中使用的半导体装置（1）及其制造方法。该半导体装置（1）包括：至少一个实质上以光学无源模式可操作的光学无源组件（2）；以及至少一种光学有源材料（6），包括实质上以光学有源模式可操作的至少一种材料，其中：光学无源组件（2）图案化为包括具有至少一个预限定结构（5）的至少一个光子结构（4），并且光学有源材料（6）形成在预限定结构（5）中以在至少一个横向平面中与光学无源组件（2）实质上自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种至少在光学应用中使用的半导体装置（1），包括：以光学无源模式实质上可操作的至少一个光学无源组件（2），以及至少一种光学有源材料（6），该光学有源材料（6）包括至少一种以光学有源模式实质上可操作的材料，其中：该光学无源组件（2）图案化为包括具有至少一个预限定结构（5）的至少一个光子结构（4），并且该光学有源材料（6）形成在该预限定结构（5）中，以实质上在至少一个横向平面中与该光学无源组件（2）自对准。
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