[发明专利]一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法

摘要

本发明涉及一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，包括：将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨，预烧，然后进行球磨，加入粘结剂PVA，压成圆片，烧结，得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材；采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜；通过真空热蒸发，金属电极膜沉积在硅片背面；然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜，即得。本发明射频磁控溅射Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构电容器可满足计算机不挥发性铁电信息存储器件的应用要求，具有重要应用前景。

主权项

一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p‑Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，包括：(1)将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨，预烧，然后进行第二次球磨，加入重量百分比为5%的粘结剂PVA，压片，烧结，得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材；(2)采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜，其中所用的靶材为Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材；(3)通过真空热蒸发，金属电极膜沉积在步骤(2)的硅片背面；然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜，即得。