[发明专利]方钴矿热电单偶元件用电极与封装材料及一步法连接工艺有效

专利信息
申请号: 201310532789.0 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103531704B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 唐云山;董洪亮;陈立东;李小亚;廖锦城 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/34
代理公司: 31100 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 彭茜茜
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一用于热电单偶元件的涂层,所述热电单偶元件包括高温端和低温端,所述涂层为涂覆在所述热电单偶元件高温端上的玻璃保护层,且该玻璃保护层的玻璃软化温度与所述热电单偶元件高温端的电极焊接温度接近。本发明还提供相应的热电单偶元件及其制备方法。
搜索关键词: 方钴矿 热电 元件 用电 封装 材料 一步法 连接 工艺
【主权项】:
1.一种用于热电单偶元件的涂层,所述热电单偶元件包括高温端和低温端,其特征在于,/n所述涂层为涂覆在所述热电单偶元件高温端上的玻璃保护层或含有所述玻璃的复合涂层,/n且该玻璃保护层的玻璃软化温度与所述热电单偶元件高温端的电极焊接温度接近;所述“接近”是指,该玻璃保护层的玻璃软化温度与所述热电单偶元件高温端的电极焊接温度的差距不高于20℃;/n所述涂层由含有如下重量组分的浆料制备得到:/n大于0且至60重量份的钛酸酯偶联剂;/n5-55重量份的玻璃粉以及无机填料;/n30-50重量份的溶剂,和/n0-3重量份的助剂;/n所述玻璃粉包含一种或多种选自以下的化合物成分:P
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