[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310532887.4 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103578985B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 袁理 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/329;H01L21/683;H01L29/778;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法，至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述三五族化合物层的下表面；利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。本发明的技术方案阻断了器件从作为衬底的第一半导体基片漏电的通道，可以提高器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 族化合物 半导体基片 半导体器件 上表面 下表面 制作 离子注入工艺 衬底剥离 漏电 衬底 负性 键合 耐压 强电 制备 离子 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层：利用沉积工艺在所述第一半导体基片上形成GaN层，利用沉积工艺在所述GaN层上形成AlGaN层或利用沉积工艺在所述GaN层上形成InAlN层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述GaN层的下表面；利用离子注入工艺从所述GaN层下表面注入强电负性离子O或F，以在所述GaN层背面引入固定的负电荷，从而补充掉GaN层自发激化的影响，形成一层高电子势垒的背面隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
