[发明专利]电子封装用铜键合线及其制备方法在审
| 申请号： | 201310532892.5 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104593635A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡元华 | 申请（专利权）人： | 蔡元华 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22F1/08;B23P15/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于大规模集成电路和半导体器件等电子封装用的键合铜线，本发明的键合铜线成分满足如下条件：0.0005～0.02wt％，镁、0.0005％～0.01％wt锶，且0.0015wt％≤Mg+Sr≤0.025wt％；还可以进一步添加附带元素硼、钙、镧、锂和镍等中的1种、2种或3种，但附带元素的总添加量≤0.4×(Mgwt％+Srwt％)。本发明所述的键合铜线的制备方法包括制作中间合金，铜合金圆杆的制备、铜圆杆的致密化冷处理、拉制、最终退火、复绕分装和最终的保护性包装。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 封装 用铜键合线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于大规模集成电路和半导体器件封装用的键合线制造的铜合金，其基础成分组成及范围为：Mg0.0005～0.02wt％，Sr0.0005～0.01wt％，余者为Cu、附带的元素和杂质，同时0.0015wt％≤Mgwt％+Srwt％≤0.025wt％，且杂质总量≤0.0015wt％。
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