[发明专利]等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法

摘要

一种等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法，等离子体刻蚀装置，包括：处理腔室；第一电极，位于处理腔室内，第一电极上具有放置晶圆的平台，第一电极与至少一个射频电源电连接；第二电极，位于处理腔室内，且与第一电极正对，第二电极与直流电源电连接，第二电极和直流电源之间具有第一开关；第一气体供应端，向处理腔室中通入第一气体，第一气体供应端与处理腔室之间具有第二开关；第二气体供应端，向处理腔室中通入第二气体，第二气体供应端与处理腔室之间具有第三开关；脉冲控制单元，同步产生分布控制第一开关、第二开关和第三开关的第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号。本发明的等离子刻蚀装置在刻蚀时防止了待刻蚀材料中电荷的积聚。

主权项

一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：处理腔室；第一电极，位于处理腔室内，第一电极上具有放置晶圆的平台，所述第一电极与至少一个射频电源电连接；第二电极，位于处理腔室内，且与第一电极正对，第二电极与直流电源电连接，第二电极和直流电源之间具有第一开关；第一气体供应端，用于向处理腔室内通入第一气体，第一气体供应端与处理腔室之间具有第二开关；第二气体供应端，用于向处理腔室内通入第二气体，第二气体供应端与处理腔室之间具有第三开关；脉冲控制单元，用于同步产生第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号，第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号分别控制第一开关、第二开关和第三开关的关闭和打开；所述第二脉冲信号与第三脉冲信号的频率相同、相位相反，所述第一脉冲信号与第三脉冲信号的频率相同、相位相同；所述第一气体在射频电源的作用下形成用于刻蚀待刻蚀材料的第一等离子体，所述第一气体为C_xF_y、C_xH_yF_Z、O₂、NH₃、SF₄、COS中的一种或几种；其中，C_xF_y中的x≥1、y≥1，C_xH_yF_Z中的x≥1、y≥1、z≥1；所述第二气体在射频电源的作用下形成用于中和待刻蚀材料内积聚的电荷的第二等离子体；所述第二气体是惰性气体、双原子气体或惰性气体和双原子气体的混合气体。