[发明专利]金银花组培苗生根培养基及生根培养方法无效

专利信息
申请号: 201310533464.4 申请日: 2013-11-01
公开(公告)号: CN103548689A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 陈泽雄;刘奕清;娄娟 申请(专利权)人: 重庆文理学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 402160 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种金银花组培苗生根培养基及生根培养方法;所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基,并添加有吲哚-3-丁酸0.5mg/L和活性炭0.05mg/L;培养条件为:培养温度为25±2℃,先散光培养1天后,转入光照强度为1500~2000lx、光照时间为12h/d的条件下培养。本发明鉴于金银花组培苗生根率低的现状,通过实验研究不同激素及其浓度、培养条件以及添加物等因素对金银花组培苗生根的影响,找到了最佳激素及浓度和最佳的外界培养条件,金银花生根苗根长可达到1.2cm、平均根数3.6条、生根率100%、无愈伤组织、有根毛形成。
搜索关键词: 金银花 组培苗 生根 培养基 培养 方法
【主权项】:
金银花组培苗生根培养基,其特征在于:所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基,并添加有吲哚‑3‑丁酸0.5mg/L和活性炭0.05mg/L。
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