[发明专利]一种多孔硅材料、制备方法及其用途有效

专利信息
申请号: 201310533984.5 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103588205B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 苏发兵;张在磊;王艳红;翟世辉 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种多孔硅材料及其制备方法。该多孔硅材料的制备方法如下过渡金属盐前驱体在一定温度和压力及矿化剂作用下于有机溶剂中和原料硅发生原位催化反应,并通过酸洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料。调节过渡金属盐前驱体的种类、浓度、有机溶剂种类及反应条件参数可以调控硅材料的孔径大小、分布及孔隙率。本发明可以获得目前已有技术难以得到的多孔硅材料。利用该方法制备的多孔硅材料,生产成本低,工艺简单,可大规模制备,适合于工业化生产,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 多孔 材料 制备 方法 及其 用途
【主权项】:
一种多孔硅材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:过渡金属盐前驱体在矿化剂作用下于有机溶剂中与原料硅发生原位催化反应,原位催化成孔,得到多孔硅材料;所述过渡金属盐前驱体选自过渡金属醋酸盐前驱体、过渡金属硝酸盐前驱体、过渡金属硫酸盐前驱体或过渡金属氯化盐前驱体中的任意一种或者至少两种的混合物;所述矿化剂选自钠盐、钾盐或钙盐中的任意一种或者至少两种的混合物;所述反应的温度为100~500℃,所述反应的压力为大于0.1MPa,所述反应时间为大于2小时,所述原料硅与过渡金属盐前驱体的质量比为50:1~5:1,所述过渡金属盐前驱体与矿化剂的质量比为10:1~1:5。
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