[发明专利]一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310534290.3 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103553029A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;王玲;张燕;刘建影;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C09K5/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，包括步骤：1）对生长衬底进行抛光处理并进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理；3）采用等离子体增强化学气相沉积法于所述生长衬底表面生长竖直石墨烯薄膜；4）将制备出的竖直石墨烯薄膜转移至转移目标上。本发明充分发挥竖直石墨烯薄膜的水平薄膜层的横向散热与竖直方向较大的比表面积带来的纵向散热性，将高功率芯片水平方向的热量通过大的比表面积扩散至周围环境中，从而加快了散热效率。本发明研究了竖直石墨烯薄膜的转移技术，可以很方便的将竖直石墨烯薄膜应用于多种场合中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 竖直 石墨 散热 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，对所述生长衬底进行抛光处理，并对所述生长衬底进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理；3）保持通入还原气体并通入生长气体，采用等离子体增强化学气相沉积法于所述生长衬底表面生长竖直石墨烯薄膜。
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