[发明专利]一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。

主权项

一种光电混合存储的相变存储器结构，其特征在于，该相变存储结构包括上表面制备有若干字线的衬底；位于所述字线上表面的若干导电通孔下电极；所述导电通孔下电极上表面设有选择开关器件；所述选择开关器件上设有与其接触的导电互连通孔电极；所述导电通互连孔电极上设有与其接触的半导体激光器；所述半导体激光器上方设有与其接触的导电透明电极；所述导电透明电极上方设有与其接触的相变材料层；所述相变材料层上表面设有导电反射层；所述导电反射层上表面设有若干导电通孔上电极；所述导电通孔上电极上表面设有若干位线。