[发明专利]一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法有效
| 申请号： | 201310534506.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103541011A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;王伟;陈媛媛;彭波南;郭林山;崔祥祥;陈尚荣;李昊辰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相和RE211相的粉末；b）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+30mol%RE211+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 rebco 高温 超导 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末和RE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和所述籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其特征在于，所述工序b）中的所述前驱体包括第一前驱体和第二前驱体，所述第一前驱体为所述工序a）获得的所述RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；所述工序c）中，所述籽晶放置在所述第二前驱体的上表面，所述第二前驱体放置在所述第一前驱体的上表面。
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