[发明专利]基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部磁场的真空灭弧室仿真方法及装置在审
| 申请号： | 201310534523.X | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103530481A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孙巍;张大为;张洪达;孙晨 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;黑龙江省电力科学研究院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部磁场的真空灭弧室仿真方法及装置，涉及一种仿真方法及装置。为了解决采用目前的真空灭弧室内部磁场的仿真方法，在建立模型后，若连续更改仿真模型参数则影响了延长了灭弧室的设计周期的问题。它通过VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件进行功能拓展，建立了用于真空灭弧室内部磁场的仿真分析的虚拟样机，将仿真模型直接导入虚拟样机中，进行灭弧室内部磁场的仿真计算，并且根据仿真结果分析触头的开距、触头的形状和结构等因素对灭弧室内部磁场的影响，从而确定真空灭弧室的最优结构设置参数。它用于仿真真空灭弧室。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 虚拟 样机 技术 真空 灭弧室 内部 磁场 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部磁场的真空灭弧室仿真方法，其特征在于，它包括如下步骤：用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的步骤；所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型和真空灭弧室屏蔽罩模型；用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部磁场的仿真分析的虚拟样机的步骤，用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部磁场的仿真计算，得到真空灭弧室内部磁场的仿真分布结果的步骤；用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室触头的开距、触头形状和结构，结合获得的相应的真空灭弧室内部磁场，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的步骤。
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